HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd


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diodo de emisión infrarrojo cilíndrico de 5m m con el transmisor-receptor del infrarrojo del fototransistor del silicio NPN del reborde

diodo de emisión infrarrojo cilíndrico de 5m m con el transmisor-receptor del infrarrojo del fototransistor del silicio NPN del reborde

    • 5mm Cylindrical Infrared Emitting Diode With Flange Silicon NPN Phototransistor Infrared Transceiver
    • 5mm Cylindrical Infrared Emitting Diode With Flange Silicon NPN Phototransistor Infrared Transceiver
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    • 5mm Cylindrical Infrared Emitting Diode With Flange Silicon NPN Phototransistor Infrared Transceiver
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    Datos del producto:

    Lugar de origen: China
    Nombre de la marca: Double Light
    Certificación: ROHS/ REACH
    Número de modelo: DL-503PTE-1PT

    Pago y Envío Términos:

    Cantidad de orden mínima: 5,000pcs/Real
    Detalles de empaquetado: Dimensiones por unidad: 0,28 × del × 0,2 0,13 metros • Peso por unidad: 3,5 kilogramos • Unidades
    Tiempo de entrega: 10-15working los días después de recibió su pago
    Condiciones de pago: Transferencia telegráfica por adelantado (TT anticipado, T/T)
    Capacidad de la fuente: 2,000,000pcs por día
    Contactar ahora
    Descripción detallada del producto
    Nombre del producto: 5m m cilíndricos con el fototransistor del reborde Paquete: Diámetro redondo del T-1 3/4 del estándar de la INMERSIÓN 5m m
    Material del microprocesador: silicio Tipo de la lente: agua clara
    Color de la fuente: fototransistor Longitud de onda de la sensibilidad máxima: 940NM
    Forma: Cilíndrico con el reborde Ángulo de la recepción: 100 grados
    Potencia: 75mA Voltaje del Colector-Emisor: 30V
    Corriente de colector: 20mA Sonó de ancho de banda espectral: 700-1200nm

    5m m cilíndricos con el infrarrojo infrarrojo del transmisor-receptor 940nm del fototransistor del silicio NPN del reborde llevaron en interruptor optoelectrónico

    DL-503PTE-1PT.pdf
     

     

     

    Características:

    1. Tiempo de respuesta rápido.
    2. Alta sensibilidad de la foto.
    3. Pequeña capacitancia de empalme.
    4. El producto sí mismo permanecerá dentro de la versión obediente de RoHS.

     
    Descripciones:

    1. El 503PT es un fototransistor sensible de alta velocidad y alto del silicio NPN en un paquete estándar Φ5.
    2. Debido a su epóxido negro, el dispositivo se hace juego a la luz visible y a la radiación infrarroja.

     
    Usos:

    1. Sistema aplicado infrarrojo.
    2. Sistema optoelectrónico del control automático.
    3. Interruptor optoelectrónico.
    4. Cámara.
    5. Impresora.
    6. Contadores y clasificadores.
    7. Codificadores.
    8. Disquetera.
    9. Cámara de vídeo, cinta y lectores de tarjetas.
    10. Sensores de posición.

     
    Dimensión del paquete:
    diodo de emisión infrarrojo cilíndrico de 5m m con el transmisor-receptor del infrarrojo del fototransistor del silicio NPN del reborde

     

    Número de parte. Material del microprocesador Color del lente Color de la fuente
    DL-503PTE-1PT Silicio Agua clara Fototransistor

     

    Notas:

    1. Todas las dimensiones están en los milímetros (pulgadas).
    2. La tolerancia es ± 0,25 milímetros (.010 ″) salvo especificación de lo contrario
    3. La resina resaltada debajo del reborde es máximo de 1,00 milímetros (.039 ″).
    4. Las especificaciones están conforme a cambio sin previo aviso.

     
    Grados máximos absolutos en Ta=25℃

    Parámetros Símbolo Clasificación Unidad
    Disipación de poder PD 75 mW
    Voltaje del Colector-emisor VCEO 30 V
    Emisor-Colector-voltaje VECO 5 V
    Corriente de colector IC 20 mA
    Temperatura de funcionamiento TOPR -40 a +85
    Temperatura de almacenamiento TSTG -40 a +100
    Temperatura que suelda de la ventaja SOLENOIDEDE T 260℃
     

     
     
    Características ópticas eléctricas en Ta=25℃

     

    Parámetros Símbolo Mínimo. Tipo. Máximo. Unidad Condición
    Voltaje de avería del Colector-emisor CEODE LA BV 30 --- --- V

    IC=100μA,

    ² de Ee=0mW/cm

    Voltaje de avería del Emisor-colector BVECO 5 --- --- V

    ES DECIR =100μA,

    ² de Ee=0mW/cm

    Voltaje de saturación del Colector-emisor VCE(SAT) --- --- 0,40 V

    IC=0.70mA,

    Ee=1mW/cm2

    Corriente oscura de colector ICEO --- --- 100 nA

    ² de Ee=0mW/cm,

    VCE=20V

    Corriente de colector del En-estado IC(ENCENDIDO) 0,70 2,00 --- mA

    ² de Ee=1mW/cm,

    VCE=5V

    Tiempo de subida óptico (el 10% a los 90%) TR --- 15 --- μs

    VCE=5V,

    IC=1mA,

    RL=1000Ω

    Tiempo de caída óptico (el 90% a los 10%) TF --- 15 ---
    Ángulo de la recepción 2θ1/2 --- 100 --- Grado  
    Longitud de onda de la sensibilidad máxima λP --- 940 --- nanómetro  
    Sonó de ancho de banda espectral λ0.5 700 --- 1200 nanómetro  
     

     

     
    Curvas de características eléctricas/ópticas típicas
    (Temperatura ambiente 25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

     diodo de emisión infrarrojo cilíndrico de 5m m con el transmisor-receptor del infrarrojo del fototransistor del silicio NPN del reborde
     
     

     

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    El verde amarillo las pantallas LED duales del segmento del dígito 7 de 0,36 pulgadas enarbola la longitud de onda 573nm de la emisión

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    El solo dígito del segmento LED Displays1 del dígito 7 del alto brillo llevó la exhibición numérica

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