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Diodo de emisión infrarrojo de GaAlAs 120Deg 1000mW 850nm 1W

Certificación
China HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd certificaciones
China HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd certificaciones
Comentarios de cliente
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Diodo de emisión infrarrojo de GaAlAs 120Deg 1000mW 850nm 1W

GaAlAs 120Deg 1000mW 850nm 1W Infrared Emitting Diode
GaAlAs 120Deg 1000mW 850nm 1W Infrared Emitting Diode GaAlAs 120Deg 1000mW 850nm 1W Infrared Emitting Diode GaAlAs 120Deg 1000mW 850nm 1W Infrared Emitting Diode

Ampliación de imagen :  Diodo de emisión infrarrojo de GaAlAs 120Deg 1000mW 850nm 1W

Datos del producto:

Lugar de origen: China (continental)
Nombre de la marca: Double Light
Certificación: ISO9001:2008,ROHS
Número de modelo: DL-HP10SIRA-1SIR120

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 10.000 unidades
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Dimensiones por unidad: 0,28 × del × 0,2 0,13 metros • Peso por unidad: 3,5 kilogramos • Unidades
Tiempo de entrega: 5-7 días laborables después de recibieron su pago
Condiciones de pago: Transferencia telegráfica por adelantado (TT anticipado, T/T)
Capacidad de la fuente: 15,000,000pcs por día
Descripción detallada del producto
Material del microprocesador: GaAlAs Disipación de poder: 1000mW
voltaje reverso: 5v Longitud de onda máxima de la emisión: 850nm
Corriente delantera: 350mA Ángulo de visión: 120 grados
Alta luz:

1W Infrared Emitting Diode

,

1000mW Infrared Emitting Diode

,

850nm High Power Emitting Diode

el infrarrojo 850nm llevó 1W el diodo electroluminoso rojo infrarrojo del poder más elevado LED

 

                                                                   DL-HP10SIRA-1SIR120.pdf

Características:

  • Alta confiabilidad.
  • Alta intensidad radiante.
  • Voltaje delantero bajo.
  • Longitud de onda máxima λp=850nm.
  • El producto sí mismo permanecerá dentro de la versión obediente de RoHS.

Descripciones:

  • El DL-HP10 SIR Infrared Emitting Diode es un diodo de intensidad alta.
  • El dispositivo se hace juego espectral con el fototransistor, el fotodiodo y el módulo de receptor infrarrojo.

Usos:

  • Sistema de transmisión del aire libre.
  • Interruptor optoelectrónico.
  • Disquetera.
  • Sistema aplicado infrarrojo.
  • Detector de humo.

Diodo de emisión infrarrojo de GaAlAs 120Deg 1000mW 850nm 1W 0

Número de parte. Chip Material Color del lente Color de la fuente
DL-HP10SIRA-1SIR120 GaAlAs Claro del agua Infrarrojo

 

Notas:

  • Todas las dimensiones están en milímetros.
  • La tolerancia es ± 0,25 milímetros (.010 ″) salvo especificación de lo contrario.
  • Las especificaciones están conforme a cambio sin previo aviso.

 

Grados máximos absolutos en Ta=25℃

Parámetros Símbolo Máximo. Unidad
Disipación de poder Paladio 1000 mW
Corriente delantera máxima
(1/10 ciclo de trabajo, anchura de pulso 0.1ms)
IFP 1,00
Corriente delantera SI 350 mA
Voltaje reverso VR 5 V
Gama de temperaturas de funcionamiento Topr -10℃ a +70℃
Gama de temperaturas de almacenamiento Tstg -20℃ a +80℃
Temperatura que suelda Tsol 260℃ por 5 segundos
 

 

Características ópticas eléctricas en Ta=25℃

Parámetros Símbolo Mínimo. Tipo. Máximo. Unidad Condición de prueba
Intensidad radiante IE 110 180 ---- mW/Sr IF=350mA
Ángulo de visión * 2θ1/2 ---- 120 ---- Grado (Nota 1)
Longitud de onda máxima de la emisión λp ---- 850 ---- nanómetro IF=350mA
Ancho de banda espectral △λ ---- 45 ---- nanómetro IF=350mA
Voltaje delantero VF 1,30 1,50 1,80 V SI =350mA
Corriente reversa IR ---- ---- 50 µA V R =5V
 

Notas:

  • el θ el 1/2 es el ángulo de fuera del eje al cual la intensidad luminosa es mitad de la intensidad luminosa axial.

 

Diodo de emisión infrarrojo de GaAlAs 120Deg 1000mW 850nm 1W 1
 
 
Diodo de emisión infrarrojo de GaAlAs 120Deg 1000mW 850nm 1W 2 
 
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