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el top redondo de 1.8m m llevó el material del microprocesador de InGaN del diodo electroluminoso con el reborde del rectángulo

Certificación
China HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd certificaciones
China HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd certificaciones
Comentarios de cliente
La víspera del 70.o aniversario de la fundación de la República Popular China, acepte por favor nuestra enhorabuena más sincera y más caliente en este gran día de fiesta. Apreciamos grandemente la experiencia positiva de la cooperación entre nuestras compañías y miramos adelante al desarrollo mutuamente beneficioso posterior de nuestra sociedad.

—— V.P. Vasilyev

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el top redondo de 1.8m m llevó el material del microprocesador de InGaN del diodo electroluminoso con el reborde del rectángulo

1.8mm Round Top Led Light Emitting Diode InGaN Chip Material With Rectangle Flange
1.8mm Round Top Led Light Emitting Diode InGaN Chip Material With Rectangle Flange 1.8mm Round Top Led Light Emitting Diode InGaN Chip Material With Rectangle Flange 1.8mm Round Top Led Light Emitting Diode InGaN Chip Material With Rectangle Flange

Ampliación de imagen :  el top redondo de 1.8m m llevó el material del microprocesador de InGaN del diodo electroluminoso con el reborde del rectángulo

Datos del producto:

Lugar de origen: China
Nombre de la marca: Double Light
Certificación: ISO9001:2008,Rosh
Número de modelo: DL-204RD-1R60

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 2000 pcs
Precio: USD 0.028-0.035/PCS
Detalles de empaquetado: Dimensiones por unidad: 0,28 × del × 0,2 0,13 metros • Peso por unidad: 3,5 kilogramos • Unidades
Tiempo de entrega: 5-7 días después del pago recibido
Condiciones de pago: Transferencia telegráfica por adelantado (TT anticipado, T/T)
Capacidad de la fuente: 5,000,000pcs por día
Descripción detallada del producto
Nombre del producto: rojo SUPERIOR redondo de 1.8m m llevado Poder (mW): 100
Color emitido: rojo Material del microprocesador: InGaN
Longitud de onda dominante: 640nm Voltaje delantero @20ma: 1.2-2.0V
Ángulo de visión: 60deg Intensitysity luminoso: 50mcd
Corriente delantera: 25mA ficha técnica: actualización
Alta luz:

light emission diode

,

led emitting diode

Datesheet: DL-20RD-1R60 que emite color: 50mcd rojo

                 DL-204BD-1B60.pdf que emite color: 100mcd azul

                  DL-204YGD-1YG60 que emite color: Verde amarillo 50mcd

 

 

1.8m m redondo con el reborde

LED rojo

 

 

 

 

     Dimensión:

 

el top redondo de 1.8m m llevó el material del microprocesador de InGaN del diodo electroluminoso con el reborde del rectángulo 0

 Características:

  1. Paquete popular del diámetro T-1.
  2. Eficacia alta.
  3. Intensidades mínimas seleccionadas.
  4. Disponible en la cinta y el carrete.
  5. Confiable y robusto.
  6. El producto sí mismo permanecerá dentro de la versión obediente de RoHS.

 

Descripciones:

  1. La serie se diseña especialmente para los usos que requieren un brillo más alto.
  2. Las lámparas del LED están disponibles con diversos colores, intensidades.

 

Usos:

  1. Indicadores de situación.
  2. Uso comercial.
  3. Muestras de publicidad.
  4. Iluminación trasera.

 

Número de parte. Material del microprocesador Color del lente Color de la fuente

 DL-204RD1R60

InGaN

Rojo difundido

Rojo

 

 

 

 

 

 

 

Grados máximos absolutos en Ta=25℃

Parámetros Símbolo Máximo. Unidad
Disipación de poder Paladio 100 mW

Corriente delantera máxima

(1/10 ciclo de trabajo, anchura de pulso 0.1ms)

IFP 100 mA
Corriente delantera continua SI 25 mA
Voltaje reverso VR 5 V
Gama de temperaturas de funcionamiento Topr -40℃ a +85℃
Gama de temperaturas de almacenamiento Tstg -40℃ a +100℃
Temperatura que suelda Tsld 260℃ por 5 segundos
 

 

Características ópticas eléctricas en Ta=25℃

Parámetros Símbolo Mínimo. Tipo. Máximo. Unidad Condición de prueba
Intensidad luminosa * IV 25 50 --- mcd IF=20mA (nota 1)
Ángulo de visión * 2θ1/2 --- 60 --- Grado IF=20mA (nota 2)
Longitud de onda máxima de la emisión λp --- 660 --- nanómetro IF=20mA
Longitud de onda dominante λd --- 640 --- nanómetro IF=20mA (nota 3)
Línea espectral media anchura △λ --- 25 --- nanómetro IF=20mA
Voltaje delantero VF 3,00 3,3 4,00 V IF=20mA
Corriente reversa IR --- --- 10 µA VR=5V
 

Notas:

  1. La intensidad luminosa se mide con una combinación ligera del sensor y del filtro que aproxime la curva de la ojo-respuesta del CIE.
  2. el θel1/2 es el ángulo de fuera del eje al cual la intensidad luminosa es mitad de la intensidad luminosa axial.
  3. La longitud de onda dominante (λd) se deriva del diagrama de cromaticidad del CIE y representa la sola longitud de onda que define el color del dispositivo.

 

Para más detalles, éntrenos en contacto con por favor.

Correo electrónico: Facebook@doublelight.com.cn

 

Contacto
HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd

Persona de Contacto: Tanky

Teléfono: +8613750005407

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