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Diodo electroluminoso de emisión infrarrojo 730nm 850nm 940nm del poder más elevado del diodo 1w 3W del microprocesador de Epileds

Certificación
China HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd certificaciones
China HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd certificaciones
Comentarios de cliente
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—— V.P. Vasilyev

cooperamos con la luz doble por tan muchas veces, cada vez que nos apoyan por los buenos productos y precio agradable.

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Diodo electroluminoso de emisión infrarrojo 730nm 850nm 940nm del poder más elevado del diodo 1w 3W del microprocesador de Epileds

Epileds Chip Infrared Emitting Diode 1w 3w high power light emitting diode 730nm 850nm 940nm
Epileds Chip Infrared Emitting Diode 1w 3w high power light emitting diode 730nm 850nm 940nm Epileds Chip Infrared Emitting Diode 1w 3w high power light emitting diode 730nm 850nm 940nm

Ampliación de imagen :  Diodo electroluminoso de emisión infrarrojo 730nm 850nm 940nm del poder más elevado del diodo 1w 3W del microprocesador de Epileds

Datos del producto:

Lugar de origen: China (continental)
Nombre de la marca: Double Light
Certificación: ISO9001:2008,ROHS
Número de modelo: DL-HP20SIRA-1SIR120

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 10.000 unidades
Detalles de empaquetado: Dimensiones por unidad: 0,28 × del × 0,2 0,13 metros • Peso por unidad: 3,5 kilogramos • Unidades
Tiempo de entrega: 5-7 días laborables después de recibieron su pago
Condiciones de pago: Transferencia telegráfica por adelantado (TT anticipado, T/T)
Capacidad de la fuente: 15,000,000pcs por día
Descripción detallada del producto
Nombre del producto: infrarrojos alta potencia led Diámetro: Infrarrojo del LED
Color emitido: led de infrarrojos Longitud de onda máxima de la emisión: 730nm
Material del microprocesador: GaAlAs Tipo de la lente: agua clara
Voltaje delantero @20ma: 1.4-1.8V Ángulo de visión: 120 grados
Alta luz:

light emitting diode led

,

ir emitting diode

Diodo electroluminoso de emisión infrarrojo 730nm 850nm 940nm del poder más elevado del diodo 1w 3W del microprocesador de Epileds

 

Diodo de emisión infrarrojo del poder más elevado 

  1. características del :
    1. vida útil muy larga (hasta las horas 100k).
    2. disponible en blanco, verde, azul, rojo, amarillo.
    3. Más económicas de energía que la mayoría del halógeno de las lámparas incandescentes y.
    4. la baja tensión DC actuó.
    5. haz fresco, seguro al tacto.
    6. instante ligero (menos de 100 ns).
    7. El producto sí mismo permanecerá dentro de la versión obediente de RoHS.

    usos del :
    1. lectura de las luces (coche, autobús, aviones).
    2. Portable (linterna, bicicleta).
    3. Mini_accent/Uplighters/Downlighters/Orientation.
    4. bolardos/seguridad/jardín.
    5. ensenada/Undershelf/tarea.
    6. lámparas de combinación posteriores automotrices.
    7. señalización del tráfico/travesía y borde del camino del carril de los faros.
    8. arquitectónico comercial y residencial interior/al aire libre.
    9. muestras de Edge_lit (salida, punto de venta).
    10. contraluces del LCD/guías ligeras.

 

 

  1. Grados máximos absolutos en Ta=25℃
  2. Parámetros Símbolo Clasificación Unidades
    Corriente delantera SI 500 mA
    Corriente máxima del pulso (tp≤100μs, deber cycle=0.25) Pulso 700 mA
    Voltaje reverso VR 5 V
    Temperatura de empalme del LED Tj 125
    Gama de temperaturas de funcionamiento Topr -40 a +80
    Gama de temperaturas de almacenamiento Tstg -40 a +100
    Tiempo que suelda en 260℃ (máximo) Tsol 5 Segundos
     

    Notas:

  3. La corriente apropiada que reduce la capacidad normal se debe observar para mantener temperatura de empalme debajo del máximo.
  4. Los LED no se diseñan para ser conducidos en prejuicio de la reserva.
  5.  

    Características ópticas eléctricas en Ta=25℃

    Parámetros Símbolo Mínimo. Tipo. Máximo. Unidad Condición de prueba
    Ángulo de visión [1] 2θ1/2 --- 120 -- Grados IF=350mA
    Voltaje delantero [2] VF 1,6 --- 2,2 V IF=350mA
    Corriente reversa IR --- --- 10 µA VR=5V
    Longitud de onda máxima de la emisión λp --- 730 --- nanómetro IF=350mA
    Longitud de onda dominante λd ---- 730 ---- nanómetro SI =350mA
    Ancho de banda de la radiación del espectro Δλ --- 10 --- nanómetro IF=350mA
    Intensidad del poder Picovoltio 160 --- 240 mw IF=350mA
     

    Notas:

  6. 2θ1/2 es apagado el ángulo del eje de la línea central de la lámpara donde está el 1/2 la intensidad luminosa del valor máximo.
  7. Tolerancia de la medida del voltaje delantero: ±0.1V
  8.  

     

    Notas:

    1. El radiante luminoso se mide con una combinación ligera del sensor y del filtro que aproxime la curva de la ojo-respuesta del CIE.

    2. el θel1/2 es el ángulo de fuera del eje al cual la intensidad luminosa es mitad de la intensidad luminosa axial.

 

Dimensión de emisión infrarroja del paquete del diodo:

Diodo electroluminoso de emisión infrarrojo 730nm 850nm 940nm del poder más elevado del diodo 1w 3W del microprocesador de Epileds 0 

 
 

Contacto
HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd

Persona de Contacto: Roundy

Teléfono: +8615216951191

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