HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd


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Inicio ProductosDiodo de emisión infrarrojo

emisión de emisión infrarroja del emisor del claro del agua del diodo del fototransistor 940nm

emisión de emisión infrarroja del emisor del claro del agua del diodo del fototransistor 940nm

    • 940nm Phototransistor Infrared Emitting Diode Water Clear Emitter Emission
    • 940nm Phototransistor Infrared Emitting Diode Water Clear Emitter Emission
    • 940nm Phototransistor Infrared Emitting Diode Water Clear Emitter Emission
  • 940nm Phototransistor Infrared Emitting Diode Water Clear Emitter Emission

    Datos del producto:

    Lugar de origen: China
    Nombre de la marca: Double Light
    Certificación: ISO9001:2008,Rosh
    Número de modelo: DL-PT9087C

    Pago y Envío Términos:

    Cantidad de orden mínima: 1000 PC
    Precio: US$ 0.01-0.1per unit (Pieces)
    Tiempo de entrega: 5-7 días laborables después de recibieron su pago
    Condiciones de pago: L/C, T/T, Western Union, Paypal
    Capacidad de la fuente: 15,000,000pcs por día
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    Descripción detallada del producto
    Nombre del producto: Diodo de emisión infrarrojo Poder (mW): 75
    Color de la fuente: fototransistor Color del lente: agua clara
    Longitud de onda máxima de la emisión: 940NM Voltaje delantero @20ma: 5V
    Ángulo de la recepción: 30 grados Temperatura de almacenamiento: -40 ~ +85
    Alta luz:

    ir emitting diode

    ,

    940nm infrared led

    Emisión del emisor del claro del agua de la sensibilidad de la foto del fototransistor del LED 940nm alta

     

     

    Características:

     

    • Tiempo de respuesta rápido l
    • Alta sensibilidad l de la foto
    • Pequeña capacitancia de empalme
    • El Pb libera l
    • El producto sí mismo permanecerá con en la versión obediente de RoHS.

     

    Descripciones:

     

    • El PTC730C-B es un transistor de la foto en el paquete miniatura que se moldea en un plástico transparente del agua con la lente de visión superior esférica. El dispositivo está espectral al diodo de emisión infrarrojo.

     

    Usos:

     

    • Sensor automático de la puerta.
    • Sistema aplicado infrarrojo.
    • Contadores y clasificadores.
    • Codificadores.
    • Interruptor optoelectrónico.
    • Cámara de vídeo, cinta y lectores de tarjetas.
    • Sensores de posición.
    • Copiadora.
    • Máquina de juego.
    • Contadores ópticos
    • Detectores ópticos
    • Contadores de la rueda volante

     

    Graduaciones

     

    Parámetro Símbolo Minuto Máximo Unidad Condición de prueba
    7-3 Ic(encendido) 0,53 1,19 mA

    VCE=5V

    Ee=0.555mW/cm2

    7-2 0,88 1,70
    7-1 1,24 2,21
    6-2 1,59 2,98
    6-1 1,77 3,41

     

    Dimensión del paquete

     

    emisión de emisión infrarroja del emisor del claro del agua del diodo del fototransistor 940nm

     

     

    Número de parte. Material del microprocesador Color del lente Color de la fuente
    DL-PT9087C Silicio Agua clara Fototransistor

     

    Notas:

    1. Todas las dimensiones están en los milímetros (pulgadas).

    2. La tolerancia es el ± 0.25m m (0,01 ″) salvo especificación de lo contrario.

    3. Las especificaciones están conforme a cambio sin previo aviso.

     

    Grados máximos absolutos (Ta=25℃)

     

    Parámetro Símbolo Grados Unidad
    Voltaje del Colector-emisor VCEO 30 V
    Voltaje del Emisor-colector VECO 5 V
    Disipación de poder del colector Paladio 75 mW
    Corriente de colector IC 40 mA
    Temperatura de funcionamiento Topr -25 ~ +65 °C
    Temperatura de almacenamiento Tstg -40 ~ +85 °C
    Temperatura que suelda *2 Tsol 260 °C

     

    Características ópticas eléctricas en Ta=25℃

     

    Parámetros Símbolo Mínimo. Tipo. Máximo. Unidad Condición
    Voltaje de avería del Colector-emisor CEODE LA BV 30 --- --- V

    IC=100μA,

    ² de Ee=0mW/cm

    Voltaje de avería del Emisor-colector BVECO 5 --- --- V

    ES DECIR =100μA,

    ² de Ee=0mW/cm

    Voltaje de saturación del Colector-emisor VCE(SAT) --- --- 0,40 V

    IC=0.70mA,

    Ee=1mW/cm2

    Corriente oscura de colector ICEO --- --- 100 nA

    ² de Ee=0mW/cm,

    VCE=20V

    Corriente de colector del En-estado IC(ENCENDIDO) 0,53 ---- 3,41 mA

    VCE=5V

    Ee=0.555mW/cm2

    Tiempo de subida óptico (el 10% a los 90%) TR --- 15 --- μs

    VCE=5V,

    IC=1mA,

    RL=1000Ω

    Tiempo de caída óptico (el 90% a los 10%) TF --- 15 ---
    Ángulo de la recepción 2θ1/2 --- 30 --- Grado  
    Longitud de onda de la sensibilidad máxima λP --- 940 --- nanómetro  
    Sonó de ancho de banda espectral λ0.5 400 --- 1200 nanómetro  
     

     

    *2. En la posición de 2m m de la cara inferior del paquete de la resina dentro de 5 segundo.

     

    Curvas de características eléctricas/ópticas típicas

     

    (Temperatura ambiente 25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

     

    emisión de emisión infrarroja del emisor del claro del agua del diodo del fototransistor 940nm

    Contacto
    HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd

    Persona de Contacto: Mr. Rony Qiu

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